Закон Вегарда

Закон Вегарда — апроксимированное эмпирическое правило, которое гласит, что существует линейная зависимость при постоянной температуре между свойствами кристаллической решётки сплава и концентрацией отдельных его элементов^[1][2].

Таким образом, параметры кристаллической решётки ($\mathit{a}$) твёрдого раствора (сплава) материалов с одинаковой структурой решётки, могут быть найдены путём линейной интерполяции между параметрами решётки исходных соединений, например для твёрдых растворов Si_xGe_1-x и InP_xAs_1-x:

$\mathit{a}_{SiGe} = \mathit{x}\mathit{a}_{Si} + (1-\mathit{x})\mathit{a}_{Ge}$

$\mathit{a}_{InPAs} = \mathit{x}\mathit{a}_{InP} + (1-\mathit{x})\mathit{a}_{InAs}$.

Можно также расширить это соотношение для определения энергии запрещенной зоны полупроводника. Используя, как и в предыдущем случае, InP_xAs_1-x, можно найти выражение, которое описывает зависимость энергии запрещенной зоны полупроводника $\mathit{E_g}$ от соотношения её составляющих и параметра $\mathit{b}$:

$\mathit{E_g}_{InPAs} = \mathit{x}\mathit{E_g}_{InP}+(1-\mathit{x})\mathit{E_g}_{InAs}-\mathit{bx}(1-\mathit{x})$

Примечания

1. ↑ L. Vegard. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfüllung der Atome. Zeitschrift für Physik, 5:17, 1921.
2. ↑ Harvard.edu A. R. Denton and N. W. Ashcroft. Vegard’s law. Phys. Rev. A, 43:3161–3164, March 1991.

См. также

• Изоморфизм