Ярославский филиал Физико-технологического института РАН

Координаты: 57°37′34.38″ с. ш. 39°57′01.11″ в. д. / 57.626218, 39.950309 ^(G) (O)57.626218, 39.950309 Ярославский филиал Физико-технологического института РАН (ЯФ ФТИАН). Главная цель — проведение фундаментальных и прикладных исследований в области элементной и технологической базы микро- и наноэлектроники и микросистемной техники.

Общая численность сотрудников — 105 человека: научных сотрудников 43, в том числе 7 докторов наук, 21 кандидат наук. Средний возраст сотрудников — 45 лет.

Директор филиала — доктор физико-математических наук профессор А. С. Рудый.

История

В 1984 году в Ярославле был создан Институт микроэлектроники АН СССР (ИМ АН СССР), директор-организатор — академик К. А. Валиев. Было выделено здание на улице Красноборской, дом 3 (ныне корпус Б). В 1989 году построено второе здание на улице Университетской, дом 21 (ныне корпус А).

В 1999 году ИМ РАН был преобразован в Институт микроэлектроники и информатики (ИМИ РАН), а в 2006 году учреждение стало филиалом Физико-технологического института РАН.

С 1984 года в институте подготовлено 30 кандидатов и 9 докторов наук. Сотрудники опубликовали более 600 работ, из них около 300 статей в рецензируемых изданиях, получено 25 патентов.

Лаборатории

• Лаборатория наноэлектроники и спинтроники (заведующий — В. А. Рудаков)
• Лаборатория технологии микро- и наносистемной техники (заведующий — И. И. Амиров)
• Лаборатория исследования формирования многослойных структур (заведующий — А. Е. Бердников)
• Лаборатория физики и технологии наноструктур (заведующий — В. М. Мордвинцев)

Ссылки

• yf-ftian.ru — официальный сайт  (англ.)